首页 产品中心 案例中心 新闻中心 关于我们 联系我们

产品世界

提炼碳化硅生产设备

2022-07-16T11:07:22+00:00
  • 造一颗SiC芯片,需要哪些关键设备?工艺碳化硅中国

    2023年5月21日  由于SiC工艺的特殊性,传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求,需要增加一些专用的设备作为支撑,如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备,芯片制程中的高温高能离子注 2022年12月15日  环球晶董事长徐秀兰也在6月21日举办的股东会上表示,环球晶决定新增制造设备项目,规划自行设计生产碳化硅长晶炉设备,以强化产品的可控因素。 徐秀兰还 产业加速扩张之下,碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻2023年2月26日  碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致,但部分工艺段使 用专用设备,部分需要在硅设备基础上加以改进。 根据我们梳理,目前 长晶设备 已基本 行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023

  • 机械设备行业周报:关注碳化硅设备国产化突破和加速研究

    2023年2月27日  碳化硅产业资本开支加速,供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致,但部分工艺段使用专用 2023年10月24日  有产业人士称,今年将会是8英寸碳化硅元年。今年以来,国际功率半导体巨头Wolfspeeed、意法半导体等加速发展8英寸碳化硅。而国内市场来看,碳化硅设备 国产8英寸碳化硅量产加速!行业龙头频频联手国际功率半导 2022年3月2日  1 SiC 碳化硅:产业化黄金时代已来;衬底为产业链核心 11 SiC 特点:第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越 半导体材料是制作半导体器件和集 碳化硅衬底设备行业深度报告:新能源需求兴起,国产替代有

  • 湖南三安碳化硅产品取得阶段性进展新华网

    2023年10月24日  湖南三安碳化硅产品取得阶段性进展“双碳”目标下,新能源汽车产业快速发展,车规功率半导体需求量激增,碳化硅器件凭借耐高压、耐高温、低损耗等优越性能, 2021年6月20日  碳化硅硅泥是在粉碎硅晶圆时产生的副产品,通常用于制造太阳能电池和半导体晶圆,并且使用线锯将硅锭切片成晶圆形式。当对硅锭切片时,使用的是包含平均粒径为10 μ m的碳化硅的研磨浆,因此产生 碳化硅硅泥 知乎2017年12月26日  金属硅又称工业硅或结晶硅,通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得。 其主要用途是作为非铁基合金的添加剂和生产半导体硅、有机硅的起始原料。 在我国,金属硅通常按其所含的铁、铝、钙三种主要杂质的含量来分类。 按照金属硅中铁、铝、钙的百分比 金属硅(工业硅)是怎样炼成的(一)

  • 产业加速扩张之下,碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

    2022年12月15日  在外延设备方面,晶盛机电表示,公司生产的SiC碳化硅外延设备 为公司独立研发设计和生产制造,核心技术均拥有独立的知识产权,目前已实现批量销售。 季华实验室也在4月表示,由季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的6英寸SiC高温外延 2020年12月8日  01 切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程 。 将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的晶片,对于后续的研磨和抛光至关重要。 与传统的内圆、外圆切割相比,多线切割具有大切削速度、高加工精度、高效率和较长的寿命等 工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎2020年7月4日  碳化硅有黑、绿两个品种。冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中SiO2的含量尽可能高,杂质含量尽可能低;而生产黑碳化硅时,硅质原料中的SiO2含量可以稍低些。表1为对硅质原料的成分要求。硅质原料的粒度也是很重要的,一般可采用6#~20#混合粒度砂。耐火原材料——碳化硅的合成工艺 百家号

  • 系列详解第三代半导体发展之碳化硅(SiC)篇材料

    2019年6月13日  因此,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。 技术领先国家和国际大型企业纷纷投入到碳化硅和氮化镓的研发和产业化中,产业链覆盖材料、器件、模块和应用等各个环节。 第三代半导体器件的优势主要表现 2021年8月28日  金属硅冶炼生产工艺介绍 汉鑫尊新材料 金属硅 (也叫 工业硅 )是由石英石 (二氧化硅)提炼出来的一种工业用硅,可广泛用于电子、光纤、太阳能产品、建筑、医疗、化工、机械和冶金、橡胶以及绝缘材料、高温涂料等工业和民用方面。 可以说,硅是继煤炭 金属硅冶炼生产工艺介绍 知乎2022年5月11日  一、工业硅——新兴产业之源 金属硅又称工业硅,生产流程分为选矿、材料石以及冶炼三大部分。其中选矿和采石是整个冶炼过程中基础也是最重要的一部分,硅石纯度质量将直接影响成品工业硅质量,对于考察合适矿床以及开采精度矿石提出一定要求。一文了解工业硅上下游全部冶炼过程以及其产成品应用分布

  • 小议碳化硅的国产化 知乎

    2020年10月19日  设备方面:碳化硅生产 的高端设备,基本掌握在欧美手中。国内核心设备正在加紧国产化。但检测设备与国内其他行业的同类产品一样,是非常大的短板。笔者认为,第三代半导体的国产化比第二代半导体要稍微乐观一些 2023年3月13日  晶体制备 由于物理的特性,碳化硅材料拥有很高的硬度,目前仅次于金刚石,因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。 以PVT法为例,碳化硅晶体制备面临以下困难: 温场控制困难、生产速度缓慢:以目前的主流制备方法物理气相传输 碳化硅 ~ 制备难点 知乎2019年7月3日  晶升, 埚升介绍 10加热部分 目录 单晶硅片工艺流程: 1酸洗:使用稀硝酸HNO3,进行清洗,去除表面杂质及提炼时产生的四氯化硅。 2清洗:清洗硅料经过酸洗后的残留杂质。 3单晶硅料烘干:去除水分。 4挑料:区分P型,N型硅料。 5配料:对拉晶的 单晶硅设备工艺流程ppt全文可读

  • 半导体科普五 半导体材料、工艺和设备 知乎

    2018年7月2日  半导体工艺设备 半导体的代表性材料,硅,让许多学者都惊叹,硅这种材料简直就是上帝赐予人类的礼物,它在各方面的表现都堪称完美,无论是丰度、取材,提纯,大规模生产,以及后续各类工艺折 2022年6月22日  钢板生产工艺流程 钢板生产流程: 钢板生产作业是以扁钢胚为原料,扁钢胚经过加热炉加热到1200°C,再经轧延、冷却、整平到剪 (焰)切成为成品。 1000部钢铁生产工艺流程 轧钢之家330部钢铁专辑 声明: 太全了!长流程钢铁厂工艺流程及设备介绍 知乎2022年3月7日  2、衬底 长晶完成后,就进入衬底生产环节。 经过定向切割、研磨(粗研磨、精研磨)、抛光(机械抛光)、超精密抛光(化学机械抛光),得到碳化硅衬底。 衬底主要起到物理支撑、导热和导电的作用。 加工的难点在于碳化硅材料硬度高、脆性大、化学 碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎

  • 碳化硅(SiC)的前世今生! 知乎

    2021年3月13日  高速开关和耐高温高压工作,因此在电源、汽车、铁路、工业设备和家用消费电子设备 所以大家可以想象,生产出来的碳化硅单晶片能贵成啥样了。 目前4英寸碳化硅衬底售价在20003000元左右,6英寸衬底更是达到60008000元的水平,外延片 2019年2月22日  东莞天域 东莞市天域半导体科技有限公司(TYSiC)成立于2009年1月7日,是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。 目前公司已引进四台世界一流的SiCCVD及配套检测设备,生长技术已达到国际先进水平。 2012年天 国内第三代半导体厂商(碳化硅) 知乎2020年4月10日  (1)上游设备原材料格局 半导体元件所使用的单晶硅片系采用多晶硅原料再经由单晶生长技术所生产出来的。 晶硅是单质硅的一种形态, 熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格的形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来形成的晶体就叫 一文看懂半导体硅片所有猫腻 知乎

  • 三安160亿、露笑100亿、斯达35亿9家企业公布碳化硅新动作

    2021年3月9日  1月3日,泰科天润在湖南省浏阳经开区建成了一条全新6英寸碳化硅功率芯片量产线,90%的生产设备已经到位,正开足马力进行调试,即将投产。露笑科技将在安徽省双凤经开区投资100亿元,建设第三代半导体(碳化硅)产业园项目,一期总投资21亿元。2020年11月28日露笑集团与安徽双凤经开区签订了土地 2020年12月2日  技术碳化硅产业链条核心:外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同,不能直接制作在碳化硅单晶材料上,必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料,并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法,温度高达2000多度,且 技术碳化硅产业链条核心:外延技术 知乎2023年4月17日  硅基气凝胶产业链中游为产品生产,溶胶凝胶法为其主要生产方法,包括水解、冻胶、老化、干燥等流程。 干燥为硅基气凝胶生产关键环节,对其性能起决定作用,包括常压干燥、冷冻干燥、高温干燥、 超临界干燥 以及微波干燥等。 常压干燥法为硅基气凝胶 有了解气凝胶制备工艺的吗? 知乎

  • 半导体制造之设备篇:国产、进口设备大对比 知乎

    2020年6月16日  半导体制造之设备 篇 半导体需要的设备比较繁杂,在晶圆制造中,由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作,是芯片前端加工过程的三大核心技术,其设备价值也最高,但 2022年3月2日  1 SiC 碳化硅:产业化黄金时代已来;衬底为产业链核心 11 SiC 特点:第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。 核心分为以下三代: 1) 代元素半导体材料:硅(Si)和锗 (Ge);为半 碳化硅衬底设备行业深度报告:新能源需求兴起,国产替代有 2023年1月1日  碳化硅(又名:碳硅石、金钢砂或耐火砂),化学简式:SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物,莫桑石中。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。碳化硅 知乎

  • 从多晶硅到单晶硅棒再到晶圆的工艺流程

    2021年3月26日  由于目前先进器件制造用的硅晶圆几乎全部由CZ法单晶硅棒加工而成,故下面仅对CZ法进行说明。 首先,将多晶硅装入CZ炉内的石英坩埚中,由石墨加热器将其加热熔融得到硅熔液]。 多晶硅原料是由圆柱状粉碎为团块(lump)状以便于熔融。 硅的熔点大约为1420 2022年5月31日  3、成本:工艺路线成熟,电力成本占据核心 目前全球工业硅的生产工艺较为成熟,主流工艺为电弧炉法。工业硅冶炼过程的实质是高温还原反应,首先对硅石进行破碎、筛分、干燥处理,将其与木炭、煤、石油焦等还原剂按照一定比例进行配比,混匀后加入电 工业硅行业专题研究报告:工业硅篇 知乎2017年3月24日  半导体工艺设备为半导体大规模制造 提供制造基础。摩尔定律,给电子业描绘的前景,必将是未来半导体器件的集成化、微型化程度更高,功能更强大。这里先介绍半导体工艺的头道工序——单晶体拉胚的单晶炉 半导体工艺设备之单晶炉

  • 第三代半导体发展之碳化硅(SiC)篇 知乎

    2019年9月5日  碳化硅功率器件生产过程 衬底方面:通常用Lely法制造,国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡,且已经开发出8英寸导电型衬底产品,国内衬底以4英寸为主,质量相对薄弱,主要用于生产10A以下小电流产品,目前单晶生长缓慢且品质不够稳定是碳化硅价格高、市场推广慢的重要原因。2022年3月22日  掌握了碳化硅晶 片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”全 流程关键技术和工艺。2020 年 8 月 17,公司碳化硅 碳化硅衬底设备行业深度报告:新能源需求兴起,国产替代有 2019年1月2日  永磁铁的制造过程 浇铸 先做出需要磁铁形状的砂模,就可以铸造磁铁了,材料包括铜,钴,硫磺,镍,铁,铝以及钛。 金属放入电磁火炉,加热至1600℃以上,把所有金属都融成液体。 把溶液倒入砂模中,砂模便燃烧起来因为硬化的砂内气体易燃。 磁铁是如何制造的?藏在心里20多年的疑惑被解开了! 知乎

  • 提炼碳化硅生产设备,2008,矿业破碎筛分设备

    2007年11月21日  公司从冶炼到提炼精细微粉的加工自行研制开发的碳化硅产品生产的各项技术指标均达到国内外同类产品前列。 生产生物燃料将粮食市场与能源市场相联接,使得粮价在20062007年之间上涨了3倍之多,也导致了墨西哥等 与传统的燃料棒不同,铀颗粒被覆盖有碳化硅陶瓷涂层的热解石墨颗粒包裹作为 2020年12月25日  01、碳化硅(SiC)是高功率器件理想材料 硅是半导体行业代基础材料,目前全球95%以上的集成电路元器件是以硅为衬底制造的。 目前,随着电动汽车、5G等应用的发展,高功率、耐高压、高频 国内碳化硅产业链!电子工程专辑2016年12月11日  项目概况 11项目名称 年回收40000吨单晶硅片切割废砂浆提取碳化硅微粉和聚乙二醇项目 12 项目建设单位情况 建设 混凝土框架结构1000 152 设备及配套设施建设设备及配套设施建设主要包括两个方面:一是生产设备的采购及安装调试,二是 《年回收40000吨单晶硅片切割废砂浆提取碳化硅微粉和聚乙

  • 揭秘碳化硅,第三代半导体材料核心,应用七大领域,百亿

    2021年11月7日  使用碳化硅 MOSFET 或碳化硅 MOSFET 与碳化硅 SBD 结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从 96%提升至 99%以上,能量损耗降低 50%以上,设备循环寿命提升 50 倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。2021年3月28日  一、硅料 硅料是光伏行业中最上游的产业,是硅片的原材料。 由于行业技术门槛高,产线投入大,目前全世界的硅料产能基本都在我国,而且主要集中在通威、协鑫、新特、大全等几家公司手中。 对于原材料公司而言,重点是看未来的需求和供给匹配问题 碳中和碳达峰——光伏(硅料) 知乎2021年11月19日  02 “一大一小”技术路线 【1】改良西门子法 对于 光伏 业内人士而言,西门子法是再熟悉不过了,这是目前国内外最普遍也是最成熟的方法。 根据中国光伏行业协会的数据,2019年全球 多晶硅 产量中采用改良西门子法生产的占比高达97.8%;我国也类似,2020年国内采用改良西门子法生产的多晶硅 改良西门子法VS流化床法,多晶硅两大技术路线的世纪之争

  • 半导体所用的高纯硅是如何提纯到 99% 的? 知乎

    2019年8月20日  Si 的精炼(也就是晶圆的制作过程)可以简单分成几个步骤: 1粗炼 Si 最开始的硅的存在形势就是沙子。 这些沙子都是 SiO {2} ,因此需要粗炼。 粗炼的方式是拿焦炭去烧沙子,化学式为: 这时候就得到了纯度不高的 Si 。 接下来可以用 HCl 去稍微精炼 2021年10月22日  与二代半导体类似,我国碳化硅生产设备也大量来自进口美欧日的产品。 比如,外延片生产国内的瀚天天成公司,碳化硅外延晶片生长炉和各种进口高端检测设备都是引进德国Aixtron公司的,外延生长技术已达到国际先进水平的东莞天域公司 第三代半导体重要材料碳化硅(SiC)国产化趋势分析:技术 2022年6月4日  而且,其提取、加工难度也明显低于二代半导体们。由于具有的耐高压、耐高温、低损耗、膨胀系数小等特殊性能,碳化硅也成为近年来半导体领域最热门的材料。在新能源汽车、光伏、家电等领域,有着广泛的应用。那么,我国在碳化硅方面,发展如何呢?又一领域打破垄断!第3代半导体原材料,比亚迪已能100%

  • 电子元器件基础知识——何为碳化硅SiC? 知乎

    2019年10月24日  在这里,分以下二个方面进行阐述:一是以传统的硅半导体为基础的“硅(Si)功率元器件”,另一是与Si半导体相比,损耗更低,高温环境条件下工作特性优异,有望成为新一代低损耗元件的“碳化硅(SiC)功率元器件”。 SiC半导体已经开始实际应用,并且 2021年6月20日  碳化硅硅泥是在粉碎硅晶圆时产生的副产品,通常用于制造太阳能电池和半导体晶圆,并且使用线锯将硅锭切片成晶圆形式。当对硅锭切片时,使用的是包含平均粒径为10 μ m的碳化硅的研磨浆,因此产生 碳化硅硅泥 知乎2017年12月26日  金属硅又称工业硅或结晶硅,通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得。 其主要用途是作为非铁基合金的添加剂和生产半导体硅、有机硅的起始原料。 在我国,金属硅通常按其所含的铁、铝、钙三种主要杂质的含量来分类。 按照金属硅中铁、铝、钙的百分比 金属硅(工业硅)是怎样炼成的(一)

  • 产业加速扩张之下,碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

    2022年12月15日  在外延设备方面,晶盛机电表示,公司生产的SiC碳化硅外延设备 为公司独立研发设计和生产制造,核心技术均拥有独立的知识产权,目前已实现批量销售。 季华实验室也在4月表示,由季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的6英寸SiC高温外延 2020年12月8日  01 切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程 。 将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的晶片,对于后续的研磨和抛光至关重要。 与传统的内圆、外圆切割相比,多线切割具有大切削速度、高加工精度、高效率和较长的寿命等 工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎2020年7月4日  碳化硅有黑、绿两个品种。冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中SiO2的含量尽可能高,杂质含量尽可能低;而生产黑碳化硅时,硅质原料中的SiO2含量可以稍低些。表1为对硅质原料的成分要求。硅质原料的粒度也是很重要的,一般可采用6#~20#混合粒度砂。耐火原材料——碳化硅的合成工艺 百家号

  • 系列详解第三代半导体发展之碳化硅(SiC)篇材料

    2019年6月13日  因此,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。 技术领先国家和国际大型企业纷纷投入到碳化硅和氮化镓的研发和产业化中,产业链覆盖材料、器件、模块和应用等各个环节。 第三代半导体器件的优势主要表现 2021年8月28日  金属硅冶炼生产工艺介绍 汉鑫尊新材料 金属硅 (也叫 工业硅 )是由石英石 (二氧化硅)提炼出来的一种工业用硅,可广泛用于电子、光纤、太阳能产品、建筑、医疗、化工、机械和冶金、橡胶以及绝缘材料、高温涂料等工业和民用方面。 可以说,硅是继煤炭 金属硅冶炼生产工艺介绍 知乎2022年5月11日  一、工业硅——新兴产业之源 金属硅又称工业硅,生产流程分为选矿、材料石以及冶炼三大部分。其中选矿和采石是整个冶炼过程中基础也是最重要的一部分,硅石纯度质量将直接影响成品工业硅质量,对于考察合适矿床以及开采精度矿石提出一定要求。一文了解工业硅上下游全部冶炼过程以及其产成品应用分布

  • 小议碳化硅的国产化 知乎

    2020年10月19日  设备方面:碳化硅生产 的高端设备,基本掌握在欧美手中。国内核心设备正在加紧国产化。但检测设备与国内其他行业的同类产品一样,是非常大的短板。笔者认为,第三代半导体的国产化比第二代半导体要稍微乐观一些 2023年3月13日  晶体制备 由于物理的特性,碳化硅材料拥有很高的硬度,目前仅次于金刚石,因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。 以PVT法为例,碳化硅晶体制备面临以下困难: 温场控制困难、生产速度缓慢:以目前的主流制备方法物理气相传输 碳化硅 ~ 制备难点 知乎