产品世界
产品系列完备,打通粗碎、中碎、细碎和超细碎作业
VSI家族与VU骨料优化系统共担精品机制砂制备重任
选碳化硅机器
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产业加速扩张之下,碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
2022年12月15日 国产厂商齐发力切磨抛设备 除碳化硅长晶炉设备外,被日本高鸟占据80%以上份额的碳化硅切磨抛设备,成为了上机数控、宇晶股份、大族激光、高测股份 2021年8月24日 一、简介 01 什么是碳化硅 纯碳化硅(SiC)是无色透明的晶体,又名莫桑石(Moissanite), 高品质莫桑石的火彩好于钻石。 图表1 钻石(金刚石)与莫桑石 天 碳化硅功率器件之一 知乎2022年12月23日 相较传统的硅基器件,碳化硅MOSFET具有较小的导通电阻以及很快的开关速度,与硅IGBT相比,导通损耗和开关损耗均有明显减小。 SiC MOSFET器件的使用,给实际系统效率的进一步提高,以及系统 如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片? 知乎
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从碳化硅模块看特斯拉核心芯片选型策略腾讯新闻
2022年4月12日 本文就从这款碳化硅模块展开来谈谈笔者观察到的特斯拉核心功率芯片选型策略。 TPAK 这意味着TPAK不仅可以作为一款高性能的碳化硅驱动模块,还可以成为一款高性价比的IGBT功率模块,甚至在车规大 English 日本語 材料选型 SiC 碳化硅 碳化硅主要由SiC组成,是耐腐蚀性优越陶瓷材料,可用在机械密封和泵零部件中。 在高达1400℃的温度下,碳化硅仍能保持其强度。 碳化硅相关产品 特点 结构 性能 特点 在高达1400℃ 碳化硅精密陶瓷(高级陶瓷)京瓷 KYOCERA2020年3月16日 关键词:碳化硅;功率器件;二极管;结型场效应晶体管;金氧半场效晶体管;绝缘栅双极型晶体管;门极可断晶闸管 器件的研发也逐步从科研机构向企业转移。0 碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE
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基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南(中英文)
2022年4月12日 PDF 基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南(中英文)pdf 我要下载 预览 51 MB 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业,专业 与传统的硅器件相比, 碳化硅(SiC)器件 由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能,已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。 此外,SiC让设计人员能 SiC(碳化硅)功率器件分立式元器件罗姆半导体集团 2018年8月21日 经反应烧结后的4m碳化硅反射镜毛坯,是不是离你眼中的“镜子”还比较远?然而,大口径反射镜镜坯制造和反射镜加工技术一直被美国、法国、德国等少数西方国家掌握,我国始终不具备自主制造4米量级大 中科院完成目前世界上较大口径碳化硅单体反射镜研
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三了解第三代半导体材料:碳化硅(SiC) 知乎
2019年7月25日 2、碳化硅有什么用? 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生产技术和器件制 2020年6月16日 半导体行业经过半个世纪的发展,已经形成了比较成熟的产业链。半导体产业链可以分为上游、中游、下游三个环节,上游大致可以大致包含设备、材料、设计三个环节;中游晶圆制造,以及下游封装、测 半导体制造之设备篇:国产、进口设备大对比 知乎2021年11月29日 02 常用碳化硅功率器件 目前碳化硅功率器件主要定位于功率在1kW~500kW之间、工作频率在10kHz~100MHz之间的场景,特别是一些对于能量效率和空间尺寸要求较高的应用,如 电动汽车车载充电机与电驱系统、充电桩、光伏微型逆变器、高铁、智能电网、工业级 碳化硅功率器件之四 知乎
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第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体:将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合, 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒, 再经过破碎、 清洗等加工工序, 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 2023年3月15日 碳化硅 光刻机(芯片制程) 作为晶圆衬底,6英寸的碳化硅和12英寸的硅相比,哪个更好? 为什么? 晶圆用硅片的尺寸越大,可切割制造的芯片就越多,浪费就越少,所以硅片往大尺寸发展,12英寸、18英寸等。 那为什么用碳化硅以后,晶圆尺寸只有6英 作为晶圆衬底,6英寸的碳化硅和12英寸的硅相比,哪个更好 2023年3月27日 碳化硅半导体器件生产工序主要包括碳化硅高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、 模块封装和终端应用等环节。碳化硅高纯粉料是采用 PVT 法生长碳化硅单晶的原料,其 产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。碳化硅行业研究:同质外延SiC需求广阔,掘金百亿高成长赛道
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揭秘碳化硅,第三代半导体材料核心,应用七大领域,百亿
2021年11月7日 但是,碳化硅和第三代半导体,在整个行业范围内仍然是在探索过程中发展,远未达到能够大规模替代第二代半导体的成熟产业地步,国产替代的潜力巨大。 发布于 04:45 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半 2023年3月11日 碳化硅 (SiC) 半导体在电动汽车系统中得到广泛采用。 2023 年以碳化硅 (SiC) 半导体在电动汽车 (EV) 牵引逆变器中的两项重大设计胜利开始,牵引逆变器位于 EV 中的高压电池和电动机之间,可将来自电池的直流电转换为 EV 电动机使用的交流电。为什么碳化硅MOSFET正在取代电动汽车逆变器中的硅IGBT?2021年10月20日 碳化硅功率模块的供应问题,蔚来与合作伙伴签了一些长期的协议,以保证优先的供货。4 关于「多合一电驱」,曾澍湘表示,「不认为做机械的集成就是一个创新的产品,从长期来看,是怎么做功能融合的集成,这才是有挑战的」。5为什么要用碳化硅?解析蔚来第二代电驱系统 知乎
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金钢砂百度百科
包括 黑碳化硅 和绿碳化硅,其中:黑碳化硅是以石英砂,石油焦和优质硅石为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成。 其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于 刚玉,性脆而锋利。绿碳化硅是以 石油焦 和优质硅石为主 2023年1月1日 碳化硅(又名:碳硅石、金钢砂或耐火砂),化学简式:SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物,莫桑石中。 碳化硅 知乎2019年7月5日 新能源汽车是SiC功率器件的主要增长点,充电桩也是,以直流充电桩为例,据CASA测算,电动汽车充电桩中的SiC器件的平均渗透率达到10%,2018年整个直流充电桩SiC电力电子器件的市场规模约为13 碳化硅(SiC)功率器件发展现状 知乎
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案例分享第四期:碳化硅SiC切割 知乎
2022年4月22日 碳化硅SiC材料特性 碳化硅SiC是由硅和碳组成的化合物半导体材料,在热、化学、机械方面都非常稳定。C原子和Si原子不同的结合方式使SiC拥有多种晶格结构,如4H,6H,3C等等。4HSiC因为其较高的载流子迁移率,能够提供较高的电流密度。2022年6月6日 作为第三代功率半导体的 绝代双骄 ,氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET日益引起工业界,特别是 电气工程师 的重视。 之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体,是因为其材料与传统的硅材料相比有诸多的优点,如下图所示。 氮化镓和 碳化硅材料 更大的 禁 第三代半导体,碳化硅SiC与氮化镓GaN,它俩谁会在未来更 2022年8月29日 人类历史上次发现碳化硅是在1891年,美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物,这就是碳化硅首次合成和发现。 随后各国科学家经过深入研究之后,终于理清了碳化硅的优点和特性,并且发明了各种碳化硅的长晶技术,产业研究前后长 关于碳化硅,把我知道的都告诉你金刚石肖特网易订阅
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硅碳棒碳化硅电热元件 知乎
2023年3月15日 硅碳棒又叫碳化硅电热元件,是工业窑炉或者实验电炉中常用的一种加热元件。目前世界上主要有两种硅碳棒,一种是一体成型,将两端的电阻率通过硅化而减小成为冷端,叫做一节型硅碳棒;第二种是三节硅碳棒,是将两节冷端与一节发热部粘接起来后,通过焊接而成型的硅碳棒。2022年12月27日 碳化硅:未来510年不会过剩 根据Wolfspeed预计,2022年全球碳化硅器件市场规模达43亿美元,2026年碳化硅器件市场规模有望成长至89亿美元。 碳化硅:第三代半导体突破性材料。 SiC是第三代半导体材料,其具备极好的耐压性、导热性和耐热性,是制造功率器件 碳化硅:未来510年不会过剩亿欧2023年4月19日 导读: 近日中国电科公布一系列成果,显示在国产碳化硅(SiC)设备及器件上取得突破。 4月17日,中国电科宣布旗下55所与一汽联合研发的首款 750V碳化硅功率芯片 完成流片,首款 全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块 完成A样件试制。 报道称,750V碳化硅功率 中国电科:国产碳化硅器件和设备取得突破 知乎
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选碳化硅机器
2018年7月25日 在大连石英砂色选机方面,国内厂家大都是根据粮食色选机改造而来,但是仅仅靠优质的粮食色选机技术做后盾,在矿石领域还是远远不够。HST520碳化硅液压圆锥破碎机器参考价格,哪家好?制砂机专题站 hst520碳化硅液压圆锥破碎机器参考价格,哪家好?2022年1月29日 本文就从这款碳化硅模块展开来谈谈笔者观察到的特斯拉核心功率芯片选型策略。 TPAK 这意味着TPAK不仅可以作为一款高性能的碳化硅驱动模块,还可以成为一款高性价比的IGBT功率模块,甚至在车规大功率氮化镓技术成熟后,无缝接入氮化镓裸芯片成为高频功率开关器件。从碳化硅模块看特斯拉核心芯片选型策略电子头条 2022年4月26日 碳化硅MOS分类及应用介绍 一、SiC器件分类 半导体材料经过几十年的发展,代硅材料半导体已经接近完美晶体,对于硅材料的研究也非常透彻。基于硅材料上器件的设计和开发也经过了许多代的结 碳化硅Mosfet分类及应用介绍 知乎
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如何为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动器EDN 电子技术设计
2022年3月2日 如何为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动器 尽管碳化硅 (SiC)具有开关速度更快和效率更高等一系列优势,但它也带来了一些设计挑战,我们可以通过选择合适的栅极驱动器来予以解决。 碳化硅 (SiC)MOSFET在功率半导体行业取得重大进展,得益于其一系列优于硅基开关 2023年8月21日 一、什么是SiC半导体?1 SiC材料的物性和特征 SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型,所以被认为是一种超越Si 一文看懂Sic功率器件 知乎2021年2月3日 机械精度设计、理论力学、材料力学、有限元分析等等,这几门课还是要经常温故而知新,都是基础中的基础。总结一下,高精度的运动系统,我们应该重点考虑哪些方面。需求分析,器件选型。高精度机械运动系统设计需要考虑哪些东西 知乎
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碳化硅换热器 知乎
2021年1月8日 碳化硅换热器是一种利用碳化硅陶瓷材料作为传热介质的新型换热器。 由于碳化硅陶瓷具有耐腐蚀、耐高温、高热导、高硬度、耐磨等优良特性 [1] ,碳化硅陶瓷换热器适合高温、耐腐蚀环境的使用需求。 研制成的这种装置的换热元件材料系一种新型碳化硅 2021年12月15日 碳化硅 主要有四大应用领域,即:功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。 碳化硅粗料已能大量供应,不能算高新技术产品,而技术含量极高 的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。 ⑴作为磨料,可用来做磨具,如砂轮、油石、磨头、砂 什么是碳化硅?及用途 知乎2021年12月24日 我想了解一下碳化硅的生产工艺? 因为以后要用到大量的这种材料因此想了解一下这种材料的生产工艺。 比如,当前主流的生产工艺是什么? 优缺点是什么? 国际上先进的生产工艺是什么? 生产工艺的不同 显示全部 关注者 17我想了解一下碳化硅的生产工艺? 知乎
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SiC(碳化硅)是什么?SiCMOS关与SiMOS管的区别
2 天之前 碳化硅(SiC)是比较新的半导体材料。 一开始,我们先来了解一下它的物理特性和特征。 SiC的物理特性和特征 SiC是由硅 (Si)和碳 (C)组成的化合物半导体材料。 其结合力非常强,在热、化学、机械方面都非常稳定。 SiC存在各种多型体(多晶型体),它们的 2019年6月4日 碳化硅的主要应用: 1、有色金属冶炼工业的应用 利用碳化硅具有耐高温,强度大,导热性能良好,抗冲击,作高温间接加热材料,如坚罐蒸馏炉。 精馏炉塔盘,铝电解槽,铜熔化炉内衬,锌粉炉用弧型板,热电偶保护管等。 2、钢铁行业方面的应用 利用 碳化硅的主要应用和密封环的特性,你造吗 知乎WB2MC1水封机封水泵机封机械密封碳化硅对碳化硅定制不退换 7天发货 普通MG125 多品类齐全,轻松购物 快多仓直发,极速配送 好正品行货,精致服务 省天天低价,畅选无忧 购物指南 博格曼机封型号规格 京东
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碳化硅功率器件之五 知乎
2021年11月29日 碳化硅器件可以工作在更高的温度下,在相同功率等级下,其功率模块较硅功率模块在体积上大幅降低,因此对散热的要求就更高。 如果工作时的温度过高,不但会引起器件性能的下降,还会因为不同封装材料的热膨胀系数(CTE)失配以及界面处存在的热 2019年7月26日 碳化硅(SiC)是第三代半导体材料代表之一,是C元素和Si元素形成的化合物。跟传统半导体材料硅相比,它具有高临界击穿电场、高电子迁移率等明显的优势,是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料,也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料 什么是碳化硅(SiC)?相较于Si性能优势有哪些? 百家号2015年11月13日 密封 密封腔 机械 密封介质 线速度 型号 机械密封选型与常用型号比较每一种机械密封,只有用于规定的范围内才能有效地发挥作用。 选型不当,则会使密封性能显著降低,寿命缩短,甚至失效。 选型的主要参数如下一、密封腔介质压力介质润滑性好,粘度较高时 机械密封选型与常用型号比较 豆丁网
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电子元器件基础知识——何为碳化硅SiC? 知乎
2019年10月24日 何谓碳化硅(SiC) 碳化硅(SiC)是比较新的半导体材料。一开始,我们先来了解一下它的物理特性和特征。 SiC的物理特性和特征 SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强,在热、化学、机械方面都非常稳定。2021年6月18日 氮化镓和碳化硅材料更大的禁带宽度,更高的临界场强使得基于这两种材料制作的功率半导体具有高耐压,低导通电阻,寄生参数小等优异特性。 当应用于开关电源领域中,具有损耗小,工作频率高,可靠性高等优点,可以大大提升开关电源的效率,功率密度 工程师两难之氮化镓GaN还是碳化硅SiC?到底该pick谁?2022年10月25日 先说说碳化硅 (SiC)的优势。 首先是 功率密度 的提高:众所周知汽车里面空间是非常小的,所以功率密度的提高是以后的发展趋势,SiC器件的特性可以不仅使 功率半导体 的封装相比较硅的方案做得更小,而且使与功率器件配套的 无源器件 和散热器都做得更 碳化硅(SiC)的优势是什么,能给电动汽车带有什么优势? 知乎
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碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎
2022年3月7日 2、衬底 长晶完成后,就进入衬底生产环节。 经过定向切割、研磨(粗研磨、精研磨)、抛光(机械抛光)、超精密抛光(化学机械抛光),得到碳化硅衬底。 衬底主要起到物理支撑、导热和导电的作用。 加工的难点在于碳化硅材料硬度高、脆性大、化学 2020年10月19日 与硅(Si)相比,碳化硅(SiC)是一种介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。因此,与硅器件相比,当用于半导体器件中时,碳化硅器件可以提供高耐压、高速开关和低导通电阻。鉴于该特性,其将成为有助于降低能耗和缩小系统尺寸的下一代低损耗器件。SiC功率器件 东芝半导体存储产品中国官网2022年7月22日 碳化硅作为宽禁带半导体的代表,理论上具有极其优异的性能,有望在大功率电力电子变换器中替换传统硅 IGBT,大幅提升变换器的效率以及功率密度等性能。 但是目前商用碳化硅功率模块仍然沿用传统硅 IGBT 模块的封装技术,面临着高频寄生参数大、散 碳化硅功率模块封装技术综述 知乎
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中科院完成目前世界上较大口径碳化硅单体反射镜研
2018年8月21日 经反应烧结后的4m碳化硅反射镜毛坯,是不是离你眼中的“镜子”还比较远?然而,大口径反射镜镜坯制造和反射镜加工技术一直被美国、法国、德国等少数西方国家掌握,我国始终不具备自主制造4米量级大 2019年7月25日 2、碳化硅有什么用? 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生产技术和器件制 三了解第三代半导体材料:碳化硅(SiC) 知乎2020年6月16日 半导体行业经过半个世纪的发展,已经形成了比较成熟的产业链。半导体产业链可以分为上游、中游、下游三个环节,上游大致可以大致包含设备、材料、设计三个环节;中游晶圆制造,以及下游封装、测 半导体制造之设备篇:国产、进口设备大对比 知乎
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碳化硅功率器件之四 知乎
2021年11月29日 02 常用碳化硅功率器件 目前碳化硅功率器件主要定位于功率在1kW~500kW之间、工作频率在10kHz~100MHz之间的场景,特别是一些对于能量效率和空间尺寸要求较高的应用,如 电动汽车车载充电机与电驱系统、充电桩、光伏微型逆变器、高铁、智能电网、工业级 2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体:将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合, 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒, 再经过破碎、 清洗等加工工序, 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎2023年3月15日 碳化硅 光刻机(芯片制程) 作为晶圆衬底,6英寸的碳化硅和12英寸的硅相比,哪个更好? 为什么? 晶圆用硅片的尺寸越大,可切割制造的芯片就越多,浪费就越少,所以硅片往大尺寸发展,12英寸、18英寸等。 那为什么用碳化硅以后,晶圆尺寸只有6英 作为晶圆衬底,6英寸的碳化硅和12英寸的硅相比,哪个更好
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碳化硅行业研究:同质外延SiC需求广阔,掘金百亿高成长赛道
2023年3月27日 碳化硅半导体器件生产工序主要包括碳化硅高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、 模块封装和终端应用等环节。碳化硅高纯粉料是采用 PVT 法生长碳化硅单晶的原料,其 产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。2021年11月7日 但是,碳化硅和第三代半导体,在整个行业范围内仍然是在探索过程中发展,远未达到能够大规模替代第二代半导体的成熟产业地步,国产替代的潜力巨大。 发布于 04:45 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半 揭秘碳化硅,第三代半导体材料核心,应用七大领域,百亿 2023年3月11日 碳化硅 (SiC) 半导体在电动汽车系统中得到广泛采用。 2023 年以碳化硅 (SiC) 半导体在电动汽车 (EV) 牵引逆变器中的两项重大设计胜利开始,牵引逆变器位于 EV 中的高压电池和电动机之间,可将来自电池的直流电转换为 EV 电动机使用的交流电。为什么碳化硅MOSFET正在取代电动汽车逆变器中的硅IGBT?
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为什么要用碳化硅?解析蔚来第二代电驱系统 知乎
2021年10月20日 碳化硅功率模块的供应问题,蔚来与合作伙伴签了一些长期的协议,以保证优先的供货。4 关于「多合一电驱」,曾澍湘表示,「不认为做机械的集成就是一个创新的产品,从长期来看,是怎么做功能融合的集成,这才是有挑战的」。5
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